Ligne de lumière EUV picoseconde

La ligne lumière laser EUV @10Hz est dédiée aux expériences nécessitant des impulsions EUV énergétiques d’une durée picoseconde, de longueur d’onde inférieures à 20 nm. Elle peut fonctionner indépendamment de la ligne harmonique ou de façon synchrone

Caractéristiques de la source

• Longueurs d’onde immédiatement disponibles : 13.9 nm (Argent nickéloïde) et 18.9 nm (Molybdène nickéloïde). Les longueurs d’onde théoriquement accessibles sont : 10 nm < lambda < 40 nm (pour toute demande spécifique nous contacter)
• Taux de répétition : 10 Hz (par salves de 200 tirs espacés d’une seconde, et ce pendant deux heures sans changement de cible)

• Energie par impulsion : de l’ordre de 1 µJ
• Durée des impulsions : de l’ordre de 5 ps
• Temps de changement de longueur d’onde (pompage inclus) : un quart d’heure.
• Focalisation  (miroir sphérique de 300 mm de focal, 50mm de diamètre utilisé avec une incidence de 6°) : 150 µm x 100µm

Diagnostics permanents

• diagnostic des lignes focales infrarouges (« RILF »)
• caractérisation du train d’impulsions (photodiode rapide)
• Imageur EUV haute résolution (« champ proche »)

  

• empreinte de faisceau (« champ lointain »).

Ces diagnostics sont utilisés pour l’optimisation de la source EUV.

Faisceau  annexe (pompe-sonde)

Un faisceau laser parfaitement synchronisé avec le laser EUV est disponible sur demande avec un retard réglable. L’amplitude de variation du retard peut être adaptée aux besoins. (compris entre 0 et 1.5 ns). Il peut être utilisé pour des expériences de type pompe sonde avec le laser EUV dans l’enceinte d’application.

Les caractéristiques du faisceau annexe pour pompe ou sonde IR-EUV  :

• Longueur d’onde : 805 nm (400 nm sur demande)
• Energie par impulsion : 20 mJ après compression
• Durée des impulsions: jusqu’à 37 fs (meilleure compression).
• Diamètre du faisceau 18 mm (« top hat »)

Pour les expériences pompe-sonde EUV-EUV le  faisceau d’harmoniques d’ordre élevé de la ligne de lumière femtoseconde EUV peut être utilisé dans l’enceinte d’application.

Enceinte d’accueil

L’enceinte de génération du laser EUV est connectée à une enceinte dédiée aux expériences d’application. Elle est équipée d’un plateau découplé de la paroi et de différents ports de connexion ISO K DN100).  Ces dimensions sont les suivantes : diamètre intérieur 600mm et hauteur (plateau-portée de joint) : mm

Cette enceinte est configurable suivant vos besoins. Elle possède d’ors et déjà l’instrumentation suivante  :

• miroir focalisant EUV multicouche + monture motorisée (les miroirs 13.9 nm et 18.9 nm sont disponibles)
• porte échantillon motorisé (pas 10 nm) et répétabilité de (100 nm)

  

• dispositif de synchronisation d’impulsions laser (cristal non linéaire)
• dispositif de visualisation des tâches focales EUV et superposition à un faisceau annexe
• Point d’entrée et transport d’un faisceau annexe (visible ou EUV)
• Emplacement pour un imageur EUV regardant l’échantillon avec un fort grandissement
• Tables optiques à l’extérieur + hublots de qualité optique pour faire entrer ou sortir des faisceaux